不得不說，現在中國芯片產業外部的局勢是越來越緊張了。

去年10月份，美國對人才、設備、軟件、資金等全方面封者，想要鎖死我們的DRAM內存在18納米，鎖死NAND閃存在128層，鎖死邏輯芯片工藝在14納米。

然後今年美國又聯手了荷蘭、日本繼續圍堵。目前日本也出台政策，把尖端半導體制造設備等23個品類列入出口管理限制對象名單。

如果從工藝來看的話，日本的這些設備，均屬於制造電路线寬在10～14納米以下的尖端產品所需設備。而ASML之前表示，浸潤式光刻機，也不能隨便賣到中國來了，只有一台可以賣。

很明顯，目前國內芯片產業要向往先進工藝進發，確實是比較困難了，從現在的14nm進入10nm，短時間之內，基本很難實現。

所以在這樣的情況下，我覺得中國芯接下來的方向，不是先想辦法進入10nm，而是先想辦法實現28nm工藝的全部國產化。

何謂全部國產化？即生產28nm芯片的設備、材料、技術、軟件等，全部國產化，不需要依賴進口。

事實上，目前在28nm這個工藝上，我們都沒有實現國產化的，比如光刻機使用的是ASML的，很多控制良率設備使用的是美國、日本廠商的，材料也很多來自日本的。

目前，雖然美國、日本等廠商，並沒有對28nm這個工藝進行限制，針對的主要是14nm及以下的工藝，但未來可就難說。

所以我們要做好准備，路一步一步走，先把28nm工藝國產化。而這個目標，目前看起來並不遙遠。

如上圖所示，在芯片制造的擴散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化、測試等8個關鍵環節，國產的設備，大多已經達到了28nm，有少部分甚至達到了5nm、3nm了。

而在材料方面，情況也差不多，很多達到了28nm。如果國產芯片廠商們多支持，估計全套產業鏈，都可以迅速提升至28nm，甚至更高的水平。

而從2022年數據來看，全球76%左右的芯片（數量佔比，不是價值佔比），還是採用28nm及以上的工藝制造的。

所以中國芯目前的方向，在我看來肯定不是想方設法進入14nm以下，那也不現實，還是先把28nm全國產化， 再以成熟工藝爲基礎，慢慢推動整個國產供應鏈成長，最終突破至14nm，再10nm……這樣就不怕被人卡脖子，因爲我們那時候已經沒脖子了，脖子和身體一樣粗，對方沒法卡了。

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標題：中國芯接下來的方向，是實現28nm國產化，不是進入10nm

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