英特爾日前宣布，完成世界首套商用高數值孔徑（High NA）EUV 曝光機安裝，這套資約 3.5 億美元（約新台幣 112 億元）的龐然大物年底啟用，先訓練開發 Intel 18A 製程，之後量產 Intel 14A。
韓國媒體 TheElec 報導，生產 High NA EUV 的荷蘭商艾司摩爾 (ASML) 截至 2025 上半年，大部分 High NA EUV 訂單由英特爾全部喫下，包括 2024 年五套曝光機全部給英特爾使用。ASML 的 High NA EUV 產能每年約五至六套，代表英特爾將獲所有初始產能，所以三星和 SK 海力士 2025 下半年後才能獲得設備。
High NA EUV 的 NA 代表數值孔徑，指光學系統收集和聚光的能力。數值越高，聚光能力就越強，相較標準 EUV 0.33 數值孔徑增加到 0.55，1.7 倍標準 EUV 的密度，2D 尺寸可達 190% 密度提升。
英特爾晶圓代工邏輯開發部門曝光、硬體和解決方案主管曾強調，英特爾年底將 High NA EUV 訓練開發 Intel 18A 製程，包括 High NA EUV 和標準 0.33 NA EUV 混合測試，之後 Intel 14A 製程進入量產。還預計 High NA EUV 曝光機至少三節點的先進製程沿用，將製程推進到埃米時代。
更先進曝光發展，英特爾認為，光線波長進一步縮短至 6.7 奈米，導入大量新問題，包括更大的光學元件的發展，比 High NA EUV 更先進、更大數值孔徑的 Hyper NA EUV 的方向。英特爾認為，未來與 EDA 廠商合作，整合技術開發，方便相關用途。
英特爾自 2021 年重回晶圓代工市場後，需要比競爭對手更快採用 High NA EUV 贏得客戶信任，但英特爾晶圓代工業務 2023 年總計虧損 70 億美元（約新台幣 2,237 億元），英特爾還有很長的路要走。
(首圖來源：英特爾)
標題：英特爾喫光初期 ASML High NA EUV 產能，但要獲青睞還有路要走
地址：https://www.utechfun.com/post/367891.html