日月光半導體宣布，VIPack 平台先進互連技術的最新進展，透過微凸塊 (microbump) 技術將晶片與晶圓互連間距的製程能力從 40 微米提升到 20 微米，可以滿足人工智慧 (AI) 應用於多樣化小晶片 (chiplet) 整合日益成長的需求。這種先進互連解決方案，對於在新一代的垂直整合（例如日月光 VIPack 平台 2.5D 和 3D 封裝）與 2D 並排解決方案中實現創造力和微縮至關重要。

日月光表示，隨著小晶片設計方法的加速進化，對於以往存在晶片 IO 密度限制進行真正的 3D 分層 IP 區塊，日月光的先進互連技術使設計人員能夠有創新的高密度小晶片整合選項。日月光的微凸塊技術使用新型金屬疊 層(metallurgical stack)，將間距從 40 微米減少到 20 微米。微凸塊技術的進步擴展現有的矽與矽互連能力，此技術更有助於促進其他開發活動，進而進一步縮小間距。

另外，當針對系統單晶片 ( SoC ) 進行小晶片或 IP 區塊解構 (disaggregation) 時，區塊之間可能存在大量的連接。而小尺寸 IP 區塊往往會導致許多空間受限的連接。微間距互連技術可以實現 3D 整合以及更高密度的高 IO 記憶體 (high IO memory)。

日月光指出，隨著全球人工智慧市場近年呈指數型成長，日月光提供先進的互連創新技術，可以滿足複雜晶片設計以及系統架構的要求，降低整體製造成本並加快上市時間。晶片級互連技術的擴展為小晶片開闢了更多應用，不僅針對人工智慧等高階應用，也擴及手機應用處理器 (mobile AP)、微控制器等其他關鍵產品。

日月光集團研發處長李長祺表示，矽與矽互連已從銲錫凸塊進展到微凸塊技術，隨著我們進入人工智慧時代，對於可跨節點提升可靠性和優化性能的更先進互連技術需求日益成長，我日月光過新的微間距互連技術突破小晶片整合障礙，並將持續突破極限以滿足小晶片整合需求。日月光工程與技術行銷資深處長 Mark Gerber 也強調，日月光的客戶要求變革性技術來支援他們的產品藍圖。 這些先進的互連技術 (例如結合 VIPack 結構的微凸塊) 有助於解決性能、功耗和延遲方面的挑戰。日月光的先進互連技術為尋求超微細間距解決方案的客戶提供了令人信服的選擇，可以提高整體性能、實現可擴展性和功耗優勢。

日月光 VIPack 是一個對焦產業藍圖可不斷擴展的平台，擁有優化的協作設計工具──整合設計生態系統 （Integrated Design Ecosystem，IDE），可系統性地提升先進封裝架構。

(首圖來源:shutterstock)