導讀 外媒報導，曝光機大廠艾司摩爾 (ASML) 交貨第三代標準型極紫外（EUV）曝光機，新設備型號為 Twinscan NXE:3800E，0.33 數值孔徑透鏡，較舊型號 Twinscan NXE:3...
外媒報導，曝光機大廠艾司摩爾 (ASML) 交貨第三代標準型極紫外（EUV）曝光機，新設備型號為 Twinscan NXE:3800E，0.33 數值孔徑透鏡，較舊型號 Twinscan NXE:3600D 的標準型曝光機，性能提高，支援幾年內 3 奈米及 2 奈米晶片製造。
Twinscan NXE:3800E 第三代標準型 EUV 代表標準曝光性能和精度又一次進步，達每小時處理 195 片晶圓速度，較 Twinscan NXE:3600D 約 160 片約提升 22%，且有可能提高到 220 片。新設備還能小於 1.1 奈米的晶圓對準精度。
即便生產 4 / 5 奈米晶片，Twinscan NXE:3800E 第三代標準型 EUV 也能提升效率，提高晶片生產經濟性，更高效且更具成本效益。重要的是 Twinscan NXE:3800E 精確度提升會讓 3 奈米以下製程受惠，讓 2 奈米晶片和需雙重曝光的製造技術效果更好。
當然 Twinscan NXE:3800E 第三代標準型 EUV 曝光機價格不便宜，每套 EUV 曝光設備價格約 1.8 億美元，但比最新 High-NA EUV 報價還是低很多。業界首款採用 High-NA EUV 的 TWINSCAN EXE:5200 報價達 3.8 億美元。
雖然 ASML 已推出 High-NA EUV，但仍會繼續發展標準型 EUV。新 Twinscan NXE:4000F EUV 曝光機 2026 年問世，突顯 ASML 對 EUV 技術持續推進的承諾。
(首圖來源：ASML)
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標題：ASML 第三代標準 EUV 曝光機問世，每套價格約 1.8 億美元
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