半導體科技一直是科技發展的引擎之一，二維材料與寬能隙材料的出現，為半導體技術開啟嶄新的大門，不僅具有獨特的物理特性，更有望為未來電子、光電等領域帶來革命性的變革。

為了因應這一個趨勢，閎康科技推出前瞻性技術講座 MAFT（Materials Analysis Future Tech），透過邀請具有豐富學術背景的教授，分享先進科技的最新發展，致力於提供更深入的分析技術知識，加強相關領域人士在實際產業中能夠發揮其應用價值！

寬能隙半導體磊晶的缺陷分析

由國立中山大學張六文教授主講，探討寬能隙半導體磊晶在製作高頻或高功率元件方面的主要應用。由於磊晶中的缺陷會嚴重影響元件的效能，因此如何快速和精準的分析缺陷的種類、型態與分佈，對於元件製程與品管都非常重要。磊晶缺陷的分析，除了已經廣泛使用的高解析 X 光繞射，和穿透式電子顯微鏡技術之外，近年來以掃描式電顯微鏡為基礎的兩項技術：電子隧道對比影像（Electron Channeling Contrast Imaging, ECCI）和電子背向散射繞射（Electron Backscatter Diffraction, EBSD），也逐漸應用於磊晶缺陷的分析，因此將著重於介紹這兩個技術的原理，在寬能隙半導體磊晶缺陷分析的應用，以及與其他技術的比較。

大面積二維 MoTe₂ 電晶體特性改善研究

國立成功大學李文熙教授在本次演講中，將介紹其團隊在二維 MoTe₂ 電晶體特性改善方面的研究成果。其團隊提出了一種新的歐姆接觸改善方法，該方法可以有效降低二維 MoTe₂ 電晶體的接觸電阻。其研究成果有望推動二維 MoTe₂ 電晶體器件的發展，為下一代半導體器件的研製提供新的思路。

以離子佈植研製成長於藍寶石基板之 N 型 β-Ga₂O₃ 磊晶膜及其元件特性之研究

國立陽明交通大學洪瑞華教授致力於研究第四代寬能隙氧化物半導體——β-Ga₂O₃，將為電動車、5G、6G 通訊等領域帶來革命性的變革！第四代寬能隙氧化物擁有高達 4.8 電子伏特的能隙，相較於碳化矽 (SiC) 以及氮化鎵 (GaN) ，其優勢明顯，能夠有效提升元件的崩潰電壓，並降低導通電阻，從而提高轉換效率。使用離子佈植技術在特定區域進行摻雜，將 Si 植入 β-Ga₂O₃ 薄膜中，相較於在磊晶時加入摻雜之作法，可使 β-Ga₂O₃ 功率元件的製作更加簡單、更具有製程彈性、並且成本更低廉。此使得 β-Ga₂O₃ 有機會成為下一代高功率元件的理想選擇。

有研究預測，在未來十年內，β-Ga₂O₃ 極有可能全面取代 SiC 及 GaN 在應用市場上的地位。

三六族半導體的應用、製備與特性分析

國立陽明交通大學周武清教授的演說，針對三六族半導體涵蓋氧化鎵、硒化鎵、碲化鎵、硒化銦等，其能隙範圍覆蓋廣泛與光電特性特殊及優越，因此眾所矚目。本演講主要介紹以分子束磊晶技術製備氧化鎵及以光譜技術分析其光電特性。另外，也探討分子束磊晶技術製備硒化鎵、碲化鎵、硒化銦等三六族二維半導體，並分析其特殊的物理性質與各式的元件運用。以分子束磊晶技術製備三六族半導體的優勢在於其可以即時用反射式高能量電子繞射監控磊晶過程，而且以掃描式及穿透式電子顯微技術分析樣品表面形貌與內部晶體結構可以確保將磊晶品質最佳化。最後，再製作與量測場效電晶體與光偵測器以闡述其在元件上的運用潛力。

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（首圖來源：Shutterstock；資料來源：閎康科技）