導讀 三星10納米級工藝和極紫外光刻(EUV)技術、HKMG技術的應用，讓這款筆記本內存的速度得到了顯著提升，同時能耗也得到了降低。作爲一款DDR5 4800MHz的內存條，其原生頻率達到了4800MHz...
三星10納米級工藝和極紫外光刻(EUV)技術、HKMG技術的應用，讓這款筆記本內存的速度得到了顯著提升，同時能耗也得到了降低。作爲一款DDR5 4800MHz的內存條，其原生頻率達到了4800MHz，能夠爲大數據處理提供強大的支持。
除此之外，該商品採用的是三星內存顆粒B-DIE，具有更穩定的性能和更低的延遲。在實際使用過程中，可以帶來更加流暢的數據讀取和寫入體驗，有效提高電腦的整體性能。
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