導讀 三星電子總裁兼存儲器事業部負責人李政培近日在博客文章中透露，該公司正在按計劃生產超過300層的第九代V-NAND閃存。這種3D NAND閃存基於雙層結構，將成爲業界層數最多的3D NAND產品，並將...
三星電子總裁兼存儲器事業部負責人李政培近日在博客文章中透露，該公司正在按計劃生產超過300層的第九代V-NAND閃存。這種3D NAND閃存基於雙層結構，將成爲業界層數最多的3D NAND產品，並將於明年年初开始量產。
據了解，SK海力士的下一代3D NAND將具有321層，而三星的第九代V-NAND層數應該會更多。隨着層數的增加，三星有望提高其3D NAND設備的存儲密度，並且該公司的目標是通過最小化單元幹擾、降低高度和最大化垂直層數等方式實現其愿景。
此外，李政培還表示，三星正在研究下一代創造價值的技術，包括一種新的結構，可以最大化V-NAND的輸入/輸出速度。目前還不清楚這些創新是否會應用到即將推出的固態硬盤上，但是相信三星將會使用這種存儲器來生產更高性能的產品。
關於更長期的技術創新方面，三星致力於最小化單元幹擾、降低高度和最大化垂直層數，並且這些創新對於推動公司實現擁有超過1000層的3D NAND以及高度差異化的存儲器解決方案的愿景起到關鍵作用。
標題：三星量產超過300層V-NAND閃存
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