導讀 美光近日宣布，他們已經成功出樣一條128GB容量的DDR5內存。這款內存使用了該公司今年初宣布的32Gb（4GB）DDR5顆粒。此外，美光這種32Gb DDR5顆粒是一種單芯片設計，而非多芯片整合封...
美光近日宣布，他們已經成功出樣一條128GB容量的DDR5內存。這款內存使用了該公司今年初宣布的32Gb（4GB）DDR5顆粒。此外，美光這種32Gb DDR5顆粒是一種單芯片設計，而非多芯片整合封裝，這意味着其存儲密度較高，也更容易制作成大容量內存條。 關於這款內存的具體信息非常有限，美光只公布了採用1βnm制造工藝，基於DUV多重曝光，但並未公布是否使用EUV技術。此外，頻率、功耗和電壓等信息並未公开，理論上要比使用兩顆16Gb的內存更省電。 使用這種顆粒，美光只需四顆就能制作出標准的桌面32GB和服務器128GB內存條，甚至有可能達到單條1TB的容量。如此一來，單路系統最大容量將會達到12TB。然而，美光並未公布128GB DDR5內存條何時大規模出貨，以及1TB版本何時推出，只是預計在明年年初自家DDR5內存的出貨量將超過DDR4。 同時，三星也已經完成32Gb DDR5顆粒的研發，技術制程爲12nm級別。
標題：美光成功出樣128GB DDR5內存：單芯片設計 12TB容量
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